特許
J-GLOBAL ID：200903031893775372
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130466
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342811
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 耐圧を劣化させること無く、寄生抵抗を大幅な低減を可能にする。【構成】 ゲート電極16直下が少なくとも第2の半導体層14、チャネルとなる第1の半導体層13からなる電界効果型トランジスタにおいて、ソース電極17及びドレイン電極18との間で、第2の半導体層14の長さがゲート長及び第1の半導体層13からなるチャネル長より長く、第2の半導体層14及び第1の半導体層13がソース電極17及びドレイン電極18側の端面において、低抵抗の半導体層15と電気的に接触するように形成する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極直下が少なくとも第2の半導体層及びチャネルとなる第1の半導体層からなる電界効果型トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極との間で、前記第2の半導体層の長さがゲート長及び前記第1の半導体層からなるチャネル長より長く、前記第1の半導体層及び第2の半導体層がソース電極及びドレイン電極側の端面において、低抵抗の第3の半導体層と電気的に接触するように形成したことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 B
