特許
J-GLOBAL ID:200903031910294626
MEMS静電チャックの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (9件):
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 舘石 光雄
, 小野塚 薫
, 田上 明夫
, ▲高▼ 昌宏
, 中村 壽夫
, 加藤 勉
, 村越 祐輔
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-538273
公開番号(公開出願番号):特表2007-510310
出願日: 2004年10月28日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第1電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第1電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第1電気導電層上に第1電気絶縁層が形成され、この第1電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第1距離だけ伸びるMEMSの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第1電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。
請求項(抜粋):
多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法であって、
半導体プラットフォーム上に第1電気伝導層を形成するとともに、この第1電気伝導層の複数の部分を互いに電気的に分離するように形成する段階と、
前記第1電気伝導層上に、第1距離だけ伸びる複数のMEMS突起を有する頂部表面を含む第1電気絶縁層を形成する段階と、
前記第1電気伝導層の複数の部分にそれぞれ電気接続される複数の極を形成する段階とを含み、
前記複数の極間に印加される電圧が、前記クランププレートに静電力を誘導するように作動可能であることを特徴とする方法。
IPC (4件):
H01L 21/683
, H01L 21/306
, C23C 16/458
, C23C 14/50
FI (4件):
H01L21/68 R
, H01L21/302 101G
, C23C16/458
, C23C14/50 A
Fターム (17件):
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029JA05
, 4K029JA06
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030GA01
, 4K030GA02
, 5F004BB22
, 5F031CA02
, 5F031HA03
, 5F031HA08
, 5F031HA16
, 5F031HA40
, 5F031MA28
, 5F031MA29
, 5F031PA13
引用特許:
出願人引用 (3件)
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米国特許出願番号10/642,939
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米国特許出願番号10/657,449
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米国特許出願番号10/683,679
審査官引用 (1件)
-
静電チャックおよび処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-145507
出願人:東陶機器株式会社, 日本真空技術株式会社
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