半導体薄膜およびそれを用いた光電変換素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-089269
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296926
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】光活性層として用いる際には非晶質系Siの場合に比して数倍の膜厚を必要とし、生産性において大きな問題があった。【解決手段】少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるTOモードの散乱ピーク強度ITOに対するTAモードの散乱ピーク強度ITAの比が0.35以下であることを特徴とする半導体薄膜とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるTOモードの散乱ピーク強度ITOに対するTAモードの散乱ピーク強度ITAの比が0.35以下であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 V , H01L31/04 B

Fターム (7件)：

5F051AA05 , 5F051BA17 , 5F051CA15 , 5F051CA34 , 5F051CA40 , 5F051DA04 , 5F051DA16

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-342122
特開平3-010075
多結晶シリコン膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243274 出願人：三洋電機株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (5件)

全件表示

前のページに戻る