半導体圧力センサおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208708
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 SOI(シリコン-オン-インシュレータ)基板を用いたダイヤフラム型の半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラムの強度を向上させる。【解決手段】第1シリコン基板11及び第2シリコン基板12がシリコン酸化膜13を介して貼り合わされてなるSOI基板10を有し、第2シリコン基板12側から第1シリコン基板11を残して第2シリコン基板12及びシリコン酸化膜13を除去することにより第1の凹部14および圧力検出用のダイヤフラム15を形成してなる半導体圧力センサにおいて、第1の凹部14の底部に位置する第1シリコン基板11の一部が除去されて第2の凹部16が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板(11)及び第2の半導体基板(12)が絶縁膜(13)を介して貼り合わされてなる貼り合わせ基板(10)と、前記貼り合わせ基板における前記第2の半導体基板側から前記第1の半導体基板を残して前記第2の半導体基板及び前記絶縁膜の所定領域を除去することにより形成された第1の凹部(14)と、前記第1の半導体基板のうち前記第1の凹部に対応する領域に形成された圧力の印加に応じて歪み可能なダイヤフラム(15)と、を備える半導体圧力センサにおいて、前記第1の凹部の底部における前記第1の半導体基板の一部が除去されて第2の凹部(16)が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , H01L 21/02 , H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 29/84 A , G01L 9/04 101 , H01L 21/02 B , H01L 21/20

Fターム (25件)：

2F055AA40 , 2F055BB01 , 2F055BB03 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF43 , 2F055FF49 , 2F055GG01 , 2F055GG13 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112CA03 , 4M112CA08 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA10 , 4M112DA12 , 4M112DA19 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA13 , 4M112EA14 , 4M112FA07 , 5F052KB04

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体圧力センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-349927 出願人：株式会社山武

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