特許

J-GLOBAL ID：200903031917158000

半導体集積回路の寄生トランジスタ発生防止装置、及び半導体集積回路の寄生トランジスタ発生防止方法

発明者： 小松 和弘 ,  木戸 啓介 ,  大西 康司 ,  西田 祐輔
出願人/特許権者： 富士通テン株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-061644
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252044
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 P型の半導体基板中にPN接合分離領域が形成された半導体集積回路における寄生トランジスタの発生を低コストな構成で防止することのできる装置を提供すること。【解決手段】 P基板10中にPN接合分離領域が形成された半導体集積回路11を含み、GND1とGND2とが分離されたシステムにおける半導体集積回路11の寄生トランジスタの発生を防止する装置であって、P基板10の電位を、システム上での最低電位又は低電位側となるように切り替える基板電位切替手段(P基板端子15に接続された抵抗21、ショットキーダイオード22)を装備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

P型の半導体基板中にPN接合分離領域が形成された半導体集積回路を含み、複数のグ ランド(GND)が分離されているシステムにおける前記半導体集積回路の寄生トランジ スタの発生を防止する装置であって、

IPC (4件)：

H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

FI (2件)：

H01L27/04 G ,  H01L27/06 102A

Fターム (6件)：

5F038BG06 ,  5F038BG09 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB08 ,  5F048AC10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 接合が絶縁された集積回路の寄生効果を抑制する方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325473   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ