特許
J-GLOBAL ID：200903031920735868
積層セラミックコンデンサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230149
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 積層セラミックコンデンサの小型大容量化のために誘電体層を薄層化させ、誘電体層の積層数を増加させて行くと、1層当たりの電界強度が大きくなり、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなり、積層セラミックコンデンサの寿命が短くなり、積層セラミックコンデンサの電気的特性に対する信頼性が低下するという問題があった。【解決手段】 複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層がセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒子は、コア部と、該コア部を囲繞するシェル部とからなる積層セラミックコンデンサにおいて、該シェル部にMn,V,Cr,Co,Fe,Ni,Cu及びMoから選択された1種又は2種以上のアクセプタ型元素、Mg及び希土類元素(Ho,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm,Lu)が含ませ、該シェル部に含まれている該アクセプタ型元素の濃度をコア・シェル境界から粒界側に向かって高くなるようにした。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒子は、コア部と、該コア部を囲繞するシェル部とからなり、該シェル部にはMn,V,Cr,Co,Fe,Ni,Cu及びMoから選択された1種又は2種以上のアクセプタ型元素、Mg及び希土類元素(Ho,Sc,Y,Gd,Dy,Er,Yb,Tb,Tm,Lu)が含まれ、該シェル部に含まれている該アクセプタ型元素の濃度がコア・シェル境界から粒界側に向かって高くなっていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件)：
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 364
5E001AB03
, 5E001AC04
, 5E001AC09
, 5E001AE00
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E001AF00
, 5E001AF06
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH06
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
