特許

J-GLOBAL ID：200903031948817339

面発光型発光素子及びその製造方法

発明者： 坂本 朗
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187590
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022282
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 高い反射率と優れた電気特性を提供する。【解決手段】 本発明のレーザ共振器10は、GaN薄膜基板12上に選択的に設けられ、異なる材質で形成された複数の誘電体が積層された第1の反射膜14と、選択成長により第1の反射膜14及びGaN薄膜基板12の露出した部分に連続的に形成されたn型GaNスペーサ層16、活性層18及びp型GaNスペーサ層20を含む化合物半導体層と、p型GaNスペーサ層20上に第1の反射膜14と対向するように設けられた第2の反射膜22とを備える。本発明では、より高い反射率が要求される第1の反射膜14に誘電体層を使用するので高い反射率が提供される。また、電流はn型GaNスペーサ層16、活性層18、及びp型GaNスペーサ層20を流れ、電気抵抗の比較的に高い第1の反射膜14を流れないので、優れた電気特性を提供する。

請求項（抜粋）：

基板上に選択的に設けられ、異なる材質で形成された複数の誘電体が積層された多層膜である第1の反射膜と、前記第1の反射膜及び前記基板の露出した部分に連続的に形成された、活性層を含むp型及び/又はn型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の一部上に前記第一の反射膜と対向するように設けられた第2の反射膜と、を備えた面発光型発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

5F041AA08 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CB02 ,  5F041CB15 ,  5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073CA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA14 ,  5F073DA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116613   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-013867   出願人：日亜化学工業株式会社