特許
J-GLOBAL ID：200903031957241890

半導体装置

発明者：
坂上 栄人

坂上 栄人 について

, 
成毛 清実

成毛 清実 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-254782
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097849
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 選択トランジスタが不要で微細化を図りつつ、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 第一導電型の半導体基板(1)内に形成された第二導電型の第一、第二の拡散層(20、21)と、これらの拡散層間に存在するチャネル領域上の一部と第一の拡散層上の一部に第一の絶縁膜を介して形成されたゲート電極とから構成され、このゲート電極と第二の拡散層の間に存在するチャネル領域上に、少なくとも2層構造で膜厚が30nm以下となる第二の絶縁膜の一部が電荷蓄積層となることを特徴とする半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板内に形成された第二導電型の第一、第二の拡散層と、これらの第一、第二の拡散層間に存在するチャネル領域上の一部と第一の拡散層上の一部に第一の絶縁膜を介して形成されたゲート電極とから構成され、このゲート電極と第二の拡散層の間に存在するチャネル領域上に、少なくとも2層構造で膜厚が30nm以下となる第二の絶縁膜を持ち、この第二の絶縁膜の一部が電荷蓄積層となることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 617 A
引用特許：
審査官引用 (11件)
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