特許
J-GLOBAL ID：200903031957320404

基板上に半導体薄膜を有する構造の製造方法

発明者：
ミシェル・ブリュエル

ミシェル・ブリュエル について

, 
ティェリー・プメイロ

ティェリー・プメイロ について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233119
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097389
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【課題】 従来の薄膜製造方法では、多数の連続した工程、特に熱処理工程および侵食工程は、薄膜の製造工程を非常に複雑なものとし、かつ、コストがかさむものとしていた。さらに、これら熱処理工程および侵食工程は、微細に得られた薄膜の品質を低下させていた。【解決手段】 ターゲット基板24上に半導体薄膜4が固着された構造を製造するための方法であって、a)半導体薄膜4を第1の基板上に備えた第1の構造を製造する工程と、b)薄膜4を、第1の基板からターゲット基板24まで移送する工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
ターゲット基板(24)上に半導体薄膜(4)が固着された構造を製造するための方法であって、a)前面と称される開放された第1の面(10)と、後面と称されかつ第1の基板に対して第1の結合エネルギ(E0 )でもって結合される第2の面(8)とを有する前記半導体薄膜を、前記第1の基板(2)上に備えた第1の構造を製造する工程と、b)前記薄膜と前記第1の基板との結合体に前記第1の結合エネルギに打ち勝ち得る引き離し力を印加することにより前記薄膜(4)を前記第1の基板(2)から引き離すことと、前記薄膜(4)を前記ターゲット基板(24)に固着させることとを行って、前記薄膜(4)を前記第1の基板から前記ターゲット基板(24)へと移送する工程とを具備することを特徴とする基板上に半導体薄膜を有する構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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