特許

J-GLOBAL ID：200903031960030085

全反射分光法による基板表面処理評価方法及び装置

発明者： 廣瀬 全孝 ,  宮崎 誠一
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196426
公開番号（公開出願番号）：特開平8-062125
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 表面処理を行いながら、基板の処理表面での反応や結合状態等をリアルタイムに評価することができる全反射分光法による基板表面処理評価方法及び装置を提供する。【構成】 基板表面処理における処理状態を基板表面処理中に評価する基板表面処理評価方法であって、基板S3に全反射結晶基板を採用して全反射結晶基板表面S31に目的とする表面処理を実施しつつ、全反射結晶基板S3内に評価用光を入射して多重全反射させつつ通過させ、出射光を評価することで実施中の表面処理状態を評価する全反射分光法による基板表面処理評価方法及び装置。

請求項（抜粋）：

基板表面処理における処理状態を該基板表面処理中に評価する基板表面処理評価方法であって、前記基板に全反射結晶基板を採用して該全反射結晶基板表面に目的とする表面処理を実施しつつ、該全反射結晶基板内に評価用光を入射して多重全反射させつつ通過させ、該出射光を評価することで実施中の表面処理状態を評価する全反射分光法による基板表面処理評価方法。