電流狭窄構造を持った量子箱構造及びその作成法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189783
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018086
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】積層水平方向の電流狭窄に優れた量子箱構造及びその作成法を提供する。【構成】半導体基板1の少なくとも一部に異なる面方位を持つ面部4を形成し、異なる面方位を持つ面部4の上で、面方位によって導電型の異なる結晶成長法を一部に使用する結晶成長法により半導体層7〜11を積層して量子箱を形成する。異なる面方位を持つ面部4を形成する工程の次に、異なる面方位を持つ面部4に選択成長を用いて部分的に電流狭窄する構造を形成したり、異なる面方位を持つ面部4を部分的にエッチングして取り除き部分的に電流狭窄する構造を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型結晶構造を有した半導体基板の少なくとも一部に異なる面方位を持つ面部を形成する工程と、該異なる面方位を持つ面部の上で、面方位によって導電型の異なる結晶成長法を一部に使用する結晶成長法により半導体層を積層して量子箱を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置作成法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204700 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-260377

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