特許
J-GLOBAL ID：200903031968605982
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078635
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】本発明は、微細化が可能で、かつ高速アクセスが可能なセルアレイ構造のDRAM及びEEPROM等の半導体記憶装置を提供する事を目的とする。【構成】半導体基板11上に形成されたサブビット線12と、サブビット線上に重ねて形成され、サブビット線を介して並列接続される複数のメモリセル14により構成されるサブメモリアレイ17と、サブメモリアレイ上に重ねて形成され、サブビット線に接続されるメインビット線13とにより構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたサブビット線と、前記サブビット線上に重ねて形成され、前記サブビット線に電気的に接続され、前記サブビット線を介して並列接続される複数のメモリセルにより構成されるサブメモリアレイと、前記サブメモリアレイ上に重ねて形成され、前記サブビット線に接続されるメインビット線とにより構成される半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/10 461
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
