遠藤哲郎

エンドウテツオ | Endoh Tetsuo

所属機関・部署：
職名：教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

ホームページURL (1件)： http://www.ecei.tohoku.ac.jp/endohlab/

研究分野 (4件)：ナノバイオサイエンス , ナノ材料科学 , ナノマイクロシステム , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：グリーンパワー集積回路

競争的資金等の研究課題 (145件)：

2022 - 2031 次世代X-nics半導体創生拠点形成事業/スピントロニクス融合半導体創出拠点
2023 - 2027 スピントロニクス・二次元物質の縦型素子
2023 - 2027 スマートエネルギーマネジメントシステムの構築/サブ課題B (エネルギー生産・変換・貯蔵・輸送)/B3 系統安定化をサポートするUSPMによるインテリジェントパワエレシステムの開発
2014 - 2026 不揮発性ワーキングメモリとその製造技術開発を目指したSTT-MRAMの研究開発
2014 - 2026 Research and Development of electrical characteristics evaluation technologies for STT-MRAM aimed at developing non-volatile working memory

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論文 (859件)：

Y. Saito, S. Ikeda, S. Karube, T. Endoh. Enhancement of damping-like spin-orbit torque efficiency using light and heavy nonmagnetic metals on a polycrystalline RuO2 layer. Phys. Rev. B. 2024. 110. 134423-1-134423-10
Li Zhang, Tao Li, Tetsuo Endoh. Small Area and High Throughput Error Correction Module of STT-MRAM for Object Recognition Systems. IEEE Transactions on Industrial Informatics. 2024. 20. 5. 7777-7786
T. V. A. Nguyen, H. Naganuma, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh. Ultrafast spin-orbit torque-induced magnetization switching in a 75°-canted magnetic tunnel junction. AIP Advances. 2024. 14. 025018-025018
T. V. A. Nguyen, Y. Saito, H. Naganuma, D. Vu, S. Ikeda, T. Endoh. Investigation of the dynamic magnetic properties in RuO2/Co-Fe-B stack film. IEEE Transactions on Magnetics. 2024
Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Nobuki Tezuka, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh. Field-free spin-orbit torque switching and large dampinglike spin-orbit torque efficiency in synthetic antiferromagnetic systems using interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction. Physical Review B. 2023. 108. 2

MISC (34件)：

H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, et al. A demonstration of high-performance STT-MRAM by development of unit process and integration process. ICD研究会. 2019
遠藤哲郎. 第1回「省エネ、大容量化を可能にする半導体デバイスの開発」. 科学技術振興機構(JST)「サイエンスポータル」コラムインタビュー記事. 2017
遠藤哲郎. 産学共創のステージへ(1)幕上がる「OPERA」. 日刊工業新聞1面. 2017
遠藤哲郎. 世界のトップ企業が集まる最先端R&D拠点を日本に. 日経エレクトロニクス 2016年12月号. 2017. 1174. 97-101
Hideo Ohno, Masafumi Yamamoto, Tetsuo Endoh, Yasuo Ando, Takahiro Hanyu, Kohei M. Itoh, Masaaki Tanaka, Seiji Mitani, Hitoshi Wakabayashi. Spintronics Materials and Devices for Working Memory Technology FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 8

特許 (99件)：

書籍 (3件)：

講演・口頭発表等 (208件)：

スピントロニクス省電力半導体と WBG高効率パワーエレによるゲームチェンジと、高度情報・低炭素社会への貢献
(JEDAT Solution Seminar 2023~ Catch the waves! 2023)
スピントロニクス省電力半導体と WBG高効率パワーエレによるゲームチェンジと、高度情報・低炭素社会への貢献
(JEDAT Solution Seminar 2023~ Catch the waves! 2023)
「スピントロニクス省電力半導体によるイノベーション」-半導体のゲームチェンジ技術によるカーボンニュートラルへの貢献-
(東北大学フォーラム2023 in 東京 2023)
世界の半導体戦略動向とSDGs・カーボンニュートラルに貢献する省エネ半導体
(次世代半導体産業セミナー 2023)
不揮発性メモリとスピントロニクス省電力ロジック
(IEEE Sendai Section 新 Fellow 記念講演会 2023)

学歴 (1件)：

学位 (1件)：

経歴 (12件)：

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委員歴 (92件)：

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受賞 (7件)：

2017/06/12 - 公益社団法人発明協会平成 29 年度全国発明表彰「21 世紀発明奨励賞」ボディーチャネル型MOSFETによる3次元集積化メモリー高度化の発明
2016/08/19 - 内閣府第14回産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発、及び、国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発拠点の構築
2012/09/25 - 応用物理学会、IEEE 2012 SSDM Paper Award Studies on Static Noise Margin and Scalability for Low-Power and High-Density Nonvolatile SRAM using Spin-Transfer-Torque (STT) MTJsに対する論文賞
2012/09/11 - 応用物理学会第6回応用物理学会フェロー不揮発性メモリの実用研究と立体構造メモリ・ロジックの先導研究
2011/09/02 - 日本表面科学会平成23年度日本表面科学会論文賞 Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrateに対する論文賞

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所属学会 (4件)：

応用物理学会 , 電子情報通信学会 , IEEE(The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc) , 電気学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

遠藤 哲郎