特許
J-GLOBAL ID：200903031982631376
基板接続方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317159
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172114
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】熱応力の影響によるクラックの発生がなく、信頼性の高い半導体チップとプリント基板の接続。【構成】半導体チップ1のチップ電極上にはAuバンプ3を、プリント基板4の基板電極5にはSn/Agからなるはんだバンプ6を形成し、バンプ3及び6をこれらの融点より低い温度で加熱加圧し、接続後は半導体チップ1とプリント基板4の間隙に絶縁性樹脂を供給し硬化を行う。その後はんだバンプ6の融点以上に加熱し、はんだバンプとAuバンプ3の濡れを確実に行わせる。【効果】Auバンプとはんだの接続は、はんだの融点よりも低い温度で行われるため、プリント基板の熱膨張が少なくなり、接続後常温に冷却する際に接続部に加わる応力を低減できる。Auバンプとはんだの濡れを良くする。
請求項（抜粋）：
第1の基板に設けられ第1のバンプが形成された第1の電極と第2の基板に設けられはんだからなる第2のバンプが形成された第2の電極とを接続する基板接続方法において、前記第1の電極と前記第2の電極とが向き合うように前記第1の基板と前記第2の基板とを位置あわせする工程と、この工程後に前記第1および第2のバンプをこれら自身の融点以下に保ちながら加熱圧接する工程と、この工程後に前記第1の基板と前記第2の基板の間隙に絶縁性樹脂を注入し硬化させる工程と、この工程後に前記第1および第2のバンプ並びに前記絶縁性樹脂により接続された前記第1および第2の基板を前記第1および第2のバンプのいずれかまたは両方の融点以上に加熱する工程とを含むことを特徴とする基板接続方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/603
, H01L 21/321
H01L 21/92 602 C
, H01L 21/92 602 R
