特許
J-GLOBAL ID:200903031993022657
液晶表示装置とその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
クオンタ・ディスプレイ・ジャパン株式会社
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-021289
公開番号(公開出願番号):特開2005-215276
出願日: 2004年01月29日
公開日(公表日): 2005年08月11日
要約:
【課題】 従来の製造工程数を削減した製造方法では製造裕度(マージン)が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。【解決手段】 公知技術である絵素電極と走査線を同時に形成する合理化技術にハーフトーン露光技術を導入し走査線の断面形状をテーパ化して歩留を上げる新規技術と、ゲート絶縁層への開口部形成工程と半導体層の島化工程または保護絶縁層の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術との組合せによりTN型液晶表示装置の4枚マスク・プロセス案と3枚マスク・プロセス案を構築する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に透明導電層と前記透明導電層よりわずかに幅細い金属層との積層よりなる走査線と、透明導電性の絵素電極が形成され、
ゲート電極上にプラズマ保護層とゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極と一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる1対の不純物を含む第2の半導体層が形成され、
前記絵素電極上のプラズマ保護層とゲート絶縁層に開口部が形成されて絵素電極が露出し、
前記第2の半導体層上とゲート絶縁層上に耐熱金属層を含む1層以上の金属層よりなるソース配線(信号線)と、前記第2の半導体層上とゲート絶縁層上と前記開口部内の絵素電極の一部上に同じくドレイン配線が形成され、
前記絵素電極上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件):
G02F1/1368
, G02F1/1345
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (4件):
G02F1/1368
, G02F1/1345
, H01L29/78 612D
, H01L29/78 619A
Fターム (76件):
2H092GA12
, 2H092GA24
, 2H092GA25
, 2H092GA28
, 2H092GA32
, 2H092GA34
, 2H092GA40
, 2H092GA42
, 2H092GA64
, 2H092HA04
, 2H092JA26
, 2H092JA28
, 2H092JA36
, 2H092JA40
, 2H092JA41
, 2H092JA44
, 2H092JA45
, 2H092JB24
, 2H092JB31
, 2H092JB33
, 2H092JB57
, 2H092JB64
, 2H092JB68
, 2H092JB79
, 2H092KA05
, 2H092KA12
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA19
, 2H092MA24
, 2H092MA37
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 2H092QA07
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE23
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK22
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110HK42
, 5F110NN02
, 5F110NN12
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN38
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ01
, 5F110QQ09
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-208424
出願人:松下電器産業株式会社
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