特許
J-GLOBAL ID:200903031996467382
レジストパターンの形成方法並びにこれに用いるポジ型レジスト材料
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-012555
公開番号(公開出願番号):特開2009-223294
出願日: 2009年01月23日
公開日(公表日): 2009年10月01日
要約:
【解決手段】環状カーボネートを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリ現像液に可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像してポジ型パターンを形成する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってポジ型パターンを架橋硬化させ、反転用膜形成用組成物に含まれる有機溶媒に不溶でかつアルカリ現像液に可溶の膜に変質させる工程と、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程と、上記ポジ型パターンをアルカリ現像液で溶解除去する工程とを含むポジネガ反転を用いたレジストパターンの形成方法。【効果】本発明によれば、ポジネガによる画像反転を行うことでレジストパターンを形成することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
環状カーボネートを有する繰り返し単位と、酸によってアルカリ現像液に可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像してポジ型パターンを形成する工程と、その後に熱あるいは酸と熱によってポジ型パターンを架橋硬化させ、反転用膜形成用組成物に含まれる有機溶媒に不溶でかつアルカリ現像液に可溶の膜に変質させる工程と、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程と、上記ポジ型パターンをアルカリ現像液で溶解除去する工程とを含むポジネガ反転を用いたレジストパターンの形成方法。
IPC (6件):
G03F 7/40
, G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 220/28
, C08F 234/02
FI (10件):
G03F7/40 511
, G03F7/40 501
, G03F7/039 601
, G03F7/004 503Z
, G03F7/004 501
, G03F7/004 504
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 570
, C08F220/28
, C08F234/02
Fターム (61件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB15
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CA48
, 2H025CB17
, 2H025CC20
, 2H025DA03
, 2H025FA01
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA29
, 2H025FA33
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA04
, 2H096EA02
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 2H096HA05
, 2H096JA02
, 2H096JA04
, 2H096JA06
, 4J100AJ02T
, 4J100AL08P
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100AM21P
, 4J100AR32P
, 4J100AR32Q
, 4J100BA03S
, 4J100BA03T
, 4J100BA11P
, 4J100BA16T
, 4J100BB18T
, 4J100BC04T
, 4J100BC07R
, 4J100BC07T
, 4J100BC09S
, 4J100BC53P
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA06
, 4J100JA38
, 5F046LA18
引用特許: