特許
J-GLOBAL ID：200903031998141859
半導体基板表面の酸化膜の形成処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-228185
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067756
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の酸化膜の形成処理方法において、半導体基板1と第2酸化膜7の界面での界面準位密度を低下させ、界面特性を一層向上させる。【解決手段】 第2酸化膜7の形成後、酸化触媒機能を有する金属薄膜6を除去した後、厚さ1〜10000nmアルミニウム薄膜9を形成し、酸化雰囲気でない雰囲気中(例えば高純度窒素と水素を含む雰囲気中)で25〜600°Cの温度で第2の熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に酸化膜を形成するのに際し、半導体基板上に厚さ0.1〜1.5nmの範囲の第1酸化膜を形成し、次いで、前記第1酸化膜上に酸化触媒機能を有する金属簿膜を厚さ1〜30nmの範囲で形成し、しかる後に、600°C以下の温度でかつ酸化雰囲気中で第1熱処理を行って第2酸化膜を形成し、引き続いて、この第1熱処理後に、酸化雰囲気でない雰囲気中において、600°C以下の温度で第2の熱処理を行うことを特徴とする半導体基板表面の酸化膜の処理方法。
引用特許：
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