特許
J-GLOBAL ID：200903032008891278

光回路および光回路装置ならびに光回路の製造方法

発明者：
川島 洋志

川島 洋志 について

, 
奈良 一孝

奈良 一孝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-296505
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133130
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】低消費電力で効率的に熱光学効果を発揮することができ、製造が容易で信頼性が高い光回路および光回路装置を提供する。【解決手段】コア1とクラッド2とを有する光導波路層3をシリコン基板7上に設け、光導波路層3上にはコア1の一部の温度を局所的に可変制御する温度制御手段8を設ける。温度制御手段8の形成部位を挟む両側の光導波路層3の、コア1の長手方向に沿ってコア1と間隔を介した領域を、シリコン基板7表面に至るまで除去して光導波路層除去部5を形成する。光導波路層除去部5の下部に対向する全領域を包含するシリコン基板7の表面部位に断面矩形状の凹部4を設ける。シリコン基板7の表面をシリコン(100)結晶面、凹部4の、コア1の長手方向に沿って形成されている側面をシリコン基板表面に対して略垂直なシリコン(100)結晶面、凹部4の底面をシリコン基板表面に対して略平行なシリコン(100)結晶面とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板上に形成されたコアとクラッドとを有する光導波路層と、該光導波路層上に形成されて前記コアの一部の温度を局所的に可変制御する温度制御手段とを有し、該温度制御手段の形成部位を挟む両側の光導波路層は前記コアと間隔を介した領域が前記コアの長手方向に沿って光導波路層表面から前記シリコン基板表面に至るまで除去されており、該光導波路層除去部の下部に対向する全領域を包含するシリコン基板表面部位に断面矩形状の凹部が設けられており、前記シリコン基板の表面がシリコン(100)結晶面と成し、前記凹部は前記コアの長手方向に沿って形成されている側面が前記シリコン基板表面に対して略垂直なシリコン(100)結晶面と成し、前記凹部の底面はシリコン基板表面に対して略平行なシリコン(100)結晶面と成していることを特徴とする光回路。
IPC (2件)：
G02B6/12 ,  G02B6/13
FI (2件)：
G02B6/12 H ,  G02B6/12 M
Fターム (11件)：
2H047KA02 ,  2H047KA04 ,  2H047KB06 ,  2H047LA18 ,  2H047NA01 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047RA08 ,  2H047TA42
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 角速度センサ及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-037621   出願人：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-085881
  • 特開平1-123470
全件表示
引用文献：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM