特許
J-GLOBAL ID：200903032010386181
磁化制御方法および情報記録装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-135434
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342183
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】ハードディスクの高密度での書き込み、読み出しの困難な磁界に代えて、金属探針により書き込み、読み取りを可能とした情報記憶装置を提供すること。【解決手段】磁性金属層/非磁性金属/磁性金属層を含む少なくとも3層薄膜構造を形成し、この多層膜表面に金属探針をナノメートルオーダの距離に近付ける。金属探針と多層膜表面との間の距離、印加電圧を変化させることにより、多層膜中に生じる量子井戸状態を変化させ、磁性金属層間の相対的な磁化を変化させる。磁化情報の読み取りには、磁性金属層間の相対的な磁化方向の変化による量子井戸準位の変化に伴う金属探針と多層膜との間に流れるトンネル電流の変化を利用する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの金属探針と、該金属探針に対面する強磁性金属層/非磁性金属層/強磁性金属層を含む多層膜から成り、前記金属探針と前記多層膜との距離をほぼ一定に維持し、且つ、前記金属探針と多層膜との電界を制御して、前記強磁性金属層の少なくとも一つの磁化方向を変化させることを特徴とする磁化制御方法。
IPC (3件)：
G11B9/14
, G11B5/02
, G11B11/08
G11B9/14 A
, G11B9/14 F
, G11B9/14 G
, G11B9/14 K
, G11B5/02 R
, G11B11/08
