特許
J-GLOBAL ID：200903081222835270

磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子

発明者：
別所 和宏

別所 和宏 について

, 
岩崎 洋

岩崎 洋 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119589
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196661
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 磁界を用いることなく磁化を容易に制御する。【解決手段】 磁性体を含む領域11と直接または間接的に接するようにポテンシャル障壁領域12を配置する。磁性体を含む領域11は例えば2層の強磁性体層11a、11bが非磁性の中間層11cによって分離された積層構造を有する。ポテンシャル障壁領域12は例えば金属層12aおよび半導体層12bからなり、それらの間にショットキー障壁が形成される。電界印加によるポテンシャル障壁領域12のポテンシャル障壁の変調によって、磁性体を含む領域11の磁化を制御する。磁性体を含む領域11の磁化の少なくとも一つを用いて情報記憶を行う。
請求項（抜粋）：
磁性体を含む領域と直接または間接的に接するようにポテンシャル障壁領域を配置し、このポテンシャル障壁領域のポテンシャル障壁の変調によって、上記磁性体を含む領域の磁化を制御するようにしたことを特徴とする磁化制御方法。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01L 27/10 451
FI (5件)：
H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01L 27/10 451
Fターム (14件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB06 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083HA10 ,  5F083JA38
引用特許：
審査官引用 (5件)
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