特許

J-GLOBAL ID：200903032010425110

チャンネルの物性が印加電圧によって可変的なトランジスタとその製造及び動作方法

発明者： 趙 重 ▲来▼ ,  柳 寅 ▲敬▼ ,  李 明 宰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-331044
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148109
出願日： 2005年11月16日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】チャンネルの物性が印加電圧によって可変的なトランジスタとその製造及び動作方法を提供する。【解決手段】基板40上にライン状に備えられた第1導電層42と、第1導電層42上に順次に積層された相変化層44及び第2導電層46と、第2導電層46上に離隔形成された第1及び第2電流方向制限手段48、49と、第1及び第2電流方向制限手段48、49上に各々形成された第3及び第4導電層50、52と、第3導電層50に連結されたワードライン60と、第4導電層52に連結されたビットライン56と、ワードライン60に連結された電圧降下手段Rと、を備えることを特徴とするトランジスタである。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上にライン状に設けられた第1導電層と、 前記第1導電層の上に設けられた相変化層と、 前記相変化層の上に設けられた第2導電層と、 前記第2導電層の上に互いに離間させて設けられた第1電流方向制限手段及び第2電流方向制限手段と、 前記第1電流方向制御手段の上に設けられた第3導電層と、 前記第2電流方向制限手段の上に設けられた第4導電層と、 前記第3導電層に接続されたワードラインと、 前記第4導電層に接続されたビットラインと、 前記ワードラインに接続された電圧降下手段と を備えることを特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 45/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10

FI (3件)：

H01L45/00 Z ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 451

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002009438   出願人：株式会社日立製作所
• 非直線抵抗体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027303   出願人：林宏爾, 住友電気工業株式会社