特許
J-GLOBAL ID:200903032011685387
ケミカルメカニカルポリシングの操作をインシチュウでモニタするための装置及び方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-074976
公開番号(公開出願番号):特開平9-007985
出願日: 1996年03月28日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【課題】 研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を提供する。【解決手段】 基板上の層の均一性を、係る層の研磨の最中にインシチュウで測定する方法である。この方法は、:研磨中にレーザービームを層へ向けるステップと;光ビームの基板からの反射されることにより発生する干渉信号をモニタするステップと;この干渉信号から均一性の尺度を計算するステップとを備えている。
請求項(抜粋):
ウエハに対してケミカルメカニカルポリシング(CMP)を行うための装置であって、(a)研磨スラリによってウェットとなっている研磨パッドをその上に有する、回転可能な研磨プラーテンと、(b)研磨パッドに対してウエハを保持するための、回転可能な研磨ヘッドであって、このウエハが酸化物層の下の半導体基板を備える、前記研磨ヘッドと、(c)終点検出器であって、前記終点検出器は、(c1)ウエハへ向けてレーザービームを発生させることが可能であり、且つ、ウエハから反射されてくる光を検出することが可能な、レーザー干渉計と、(c2)該プラーテンの中に形成されたホール(穴)に近接して配置されるウィンドウであって、前記ウィンドウは、ウエハが前記ウィンドウの上にある時は、周期時間の少なくとも一部の間にレーザービームをウエハへ入射させるための通路を与える、前記ウィンドウとを備える前記終点検出器と、を備える装置。
IPC (3件):
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
, B24B 49/12
FI (3件):
H01L 21/304 321 E
, B24B 37/00 F
, B24B 49/12
引用特許:
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