特許

J-GLOBAL ID：200903032017402638

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井上 雄史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-137475
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334880
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 多層配線を有する半導体装置においてもマスク工程や配線形成工程の増加なしに、配線の形状が変更されるのみでプラズマダメージが低減された半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に形成されたMOSトランジスタと、第1絶縁膜を介して前記MOSトランジスタを構成するゲート電極に接続された配線と、該配線に接続されたL/S状のアンテナパターンと、前記配線及びアンテナパターン上に形成された第2絶縁膜からなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたMOSトランジスタと、第1絶縁膜を介して前記MOSトランジスタを構成するゲート電極に接続された配線と、該配線に接続されたL/S状のアンテナパターンと、前記配線及びアンテナパターン上に形成された第2絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (143件)：

5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH26 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK26 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM21 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS08 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033VV00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F038AV06 ,  5F038BH01 ,  5F038BH11 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA12 ,  5F110AA14 ,  5F110AA22 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD24 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110EE36 ,  5F110EE37 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN37 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140AA26 ,  5F140AA38 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA07 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BF26 ,  5F140BF27 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG46 ,  5F140BG60 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140CA01 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CC15 ,  5F140CC16 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005696   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005696   出願人：株式会社日立製作所