特許
J-GLOBAL ID：200903032050132239

半導体装置

発明者：
中島 成

中島 成 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301846
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072378
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】 半絶縁性基板においてドレイン耐圧を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、半絶縁性基板2の主面2a上に設けられており、ドレイン電極12、ゲート電極10及びソース電極14を有する電界効果トランジスタ15を備える。半絶縁性基板2の主面2a上には配線16が設けられており、ソース電極14に接続されている。半絶縁性基板2の裏面2bから配線16まで延びるビアホール18の側面18a上には、裏面電極20が設けられており、配線16に接続されている。裏面電極20の材料は、p型のIII-V族化合物半導体に対するオーミック金属である。このため、正孔は裏面電極20に到達し易い。よって、正孔は半絶縁性基板2に蓄積されない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板の主面上に設けられており、ドレイン電極、ゲート電極及びソース電極を有する電界効果トランジスタと、 前記半絶縁性基板の前記主面上に設けられており、前記ソース電極に接続された導体部と、 前記半絶縁性基板の裏面から前記導体部まで延びるビアホールの側面上に設けられ、前記導体部に接続された裏面電極と、 を備え、 前記裏面電極の材料は、p型のIII-V族化合物半導体に対するオーミック金属である半導体装置。
IPC (4件)：
H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812
FI (3件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/88 J ,  H01L29/80 Q
Fターム (33件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB12 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104GG12 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK07 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM30 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL05 ,  5F102GL07 ,  5F102GL20 ,  5F102GM06 ,  5F102GR06 ,  5F102GR07 ,  5F102GR11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平04-373135号公報
審査官引用 (12件)
  • 特開昭59-061073
  • 特開昭59-061073
  • 特開平4-092471
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