パワー電界効果トランジスタおよびパワーデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077165
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267332
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 3次歪が低減可能なパワー電界効果トランジスタおよびパワーデバイスを提供する。【解決手段】パワー電界効果トランジスタ10aは、パルスドープ層16、制御電極18、キャップ層20、オーミック電極24a、24b、高濃度半導体領域22a、22b、およびドープ半導体領域26を備える。キャップ層20は、パルスドープ層16と制御電極18との間に設けられたIII-V族化合物半導体からなる。高濃度半導体領域22aは、電極24aとパルスドープ層16とを電気的に接続する。高濃度半導体領域22bは、電極24bとパルスドープ層16とを電気的に接続する。ドープ半導体領域16は、高濃度半導体領域22aとパルスドープ層16とを電気的に接続するようにキャップ層20内に設けられている。ドープ半導体領域26は、高濃度半導体領域22aよりも低いキャリア濃度、およびパルスドープ層16と同一の導電型を有する。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体からなるパルスドープ層と、前記パルスドープ層に流れる電流を制御するように設けられた制御電極と、前記パルスドープ層と前記制御電極との間に設けられたIII-V族化合物半導体からなるキャップ層と、前記制御電極を挟むように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極と前記パルスドープ層とを電気的に接続する第1の高濃度半導体領域と、前記第2の電極と前記パルスドープ層とを電気的に接続する第2の高濃度半導体領域と、前記第1の高濃度半導体領域と前記パルスドープ層とを電気的に接続するように前記キャップ層内に設けられたドープ半導体領域と、を備え、前記ドープ半導体領域は、前記第1の高濃度半導体領域よりも低いキャリア濃度、および前記パルスドープ層と同一の導電型を有する、パワー電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 27/095

FI (2件)：

H01L 29/80 B , H01L 29/80 E

Fターム (12件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GR07 , 5F102GR13 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (11件)

電力増幅モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-169415 出願人：住友電気工業株式会社
電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-169416 出願人：住友電気工業株式会社
ミキサ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004920 出願人：住友電気工業株式会社

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