特許
J-GLOBAL ID:200903032076717588

プラズマ処理方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷川 昌夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-289044
公開番号(公開出願番号):特開平7-142400
出願日: 1993年11月18日
公開日(公表日): 1995年06月02日
要約:
【要約】【目的】 真空容器内に設けた対向する電極間に所定真空下に処理用ガスを導入し、電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで該真空容器内の処理対象基板に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理方法及び装置において、プラズマ処理に好ましくない微粒子の発生を抑制しつつプラズマ処理速度を従来より向上させる。【構成】 真空容器1内に設けた対向する電極2、3間に所定真空下に処理用ガスを導入し、電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで真空容器1内の処理対象基板S1に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理方法及び装置において、印加するプラズマ生成用電力を、所定周波数の高周波電力にサイン波を基本とする振幅変調を行った電力とする。
請求項(抜粋):
真空容器内に設けた対向する電極間に所定真空下に処理用ガスを導入し、電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで該真空容器内の処理対象基板に目的とするプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記印加するプラズマ生成用電力を、所定周波数の高周波電力にサイン波を基本とする振幅変調を行った状態の電力とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
引用特許:
審査官引用 (4件)
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