特許
J-GLOBAL ID：200903032082771322
セルフ・アライン・ケイ化物の改良された製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150474
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079508
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 従来のセルフ・アライン・ケイ化物製造方法を改良した製造方法を提供し、漏れ電流を減少させる。【解決手段】 シリコン基板上に耐熱金属層を形成するに先だって、ゲート端子(16)およびソース・ドレーン拡散領域(20)の露出面の処理を実行して表面粗さを増大させ、結晶核の数を増加させるとともに結晶化温度を低下させることを可能にするセルフ・アライン・ケイ化物の改良された製造方法に関する。
請求項（抜粋）：
セルフ・アライン・金属ケイ化物の改良された製造方法において、(a)シリコン基板上に、二つの側壁を持つゲートおよびソース/ドレーン拡散領域を含むトランジスタを形成し、該ゲートの二つの側壁上に側壁スペーサとを形成し、(b)上記ゲートおよび上記ソース/ドレーン拡散領域の露出面を表面処理して表面粗さを増加させ、結晶核の数を増加させるとともに結晶温度を低下させ、(c)上記シリコン基板の上に耐熱金属層を形成し、(d)最初の急速熱焼なましを実行して、上記ゲートおよび上記ソース/ドレーン拡散領域と接触している耐熱金属層を反応させて耐熱金属ケイ化物層を形成し、側壁スペーサと接触している耐熱金属層は未反応のままにしておき、(e)上記未反応耐熱金属層を除去し、(f)二回目の急速熱焼なましを実行して、上記耐熱金属ケイ化物層を再結晶させ、シート抵抗および接触抵抗を低下させる、ことを含むセルフ・アライン・金属ケイ化物の改良された製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 301 T
