特許

J-GLOBAL ID：200903032123456704

膜厚測定方法、膜厚測定システム、半導体装置の製造方法及び膜厚測定システム制御プログラム

発明者： 三上 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-314626
公開番号（公開出願番号）：特開2005-083834
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】多層積層構造であっても、短時間で測定可能で、製造コスト低減が可能な膜厚測定方法、膜厚測定システムを提供する。【解決手段】 多層構造の積層の順に、各層の膜厚データを蓄積する膜厚値記憶部26を有するCIMサーバ5と、CIMサーバ5と通信ネットワーク4を介して情報を交換可能な膜厚測定装置6とを含む。膜厚測定装置6は、多層構造の表面から光学的測定データを取得する光学系(11,12,13)、光学系により取得された光学的測定データを格納する波形記憶部24、多層構造の各層の測定レシピを格納した測定レシピ記憶部25、新たな薄膜を測定する測定レシピに膜厚測定装置6から各層の膜厚データを読み出し、新たな薄膜の理論曲線を算出する理論波形算出モジュール22、新たな薄膜の光学的測定データと新たな薄膜の理論曲線とを比較し、新たな薄膜の膜厚を決定する膜厚決定モジュール23とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光学的測定データと対応する理論曲線とを比較して、膜厚を決定する膜厚測定方法であって、 多層構造の積層の順に、各層からの光学的測定データを順次取得し、各層の膜厚を前記比較により順次決定し、各層の膜厚データを順次蓄積する一連の段階と、 該一連の段階により、それぞれの膜厚データが既に順次蓄積された積層構造の上に、更に堆積された新たな薄膜の光学的測定データを取得する段階と、 測定レシピに前記順次蓄積された各層の膜厚データを読み出す段階と、 前記測定レシピを用いて、前記新たな薄膜の理論曲線を算出する段階と、 前記新たな薄膜の光学的測定データと前記新たな薄膜の理論曲線とを比較し、前記新たな薄膜の膜厚を決定する段階 とを含むことを特徴とする膜厚測定方法。

IPC (2件)：

G01B11/06 ,  H01L21/66

FI (2件)：

G01B11/06 Z ,  H01L21/66 P

Fターム (22件)：

2F065AA30 ,  2F065BB17 ,  2F065CC17 ,  2F065DD06 ,  2F065FF44 ,  2F065FF49 ,  2F065GG24 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL33 ,  2F065LL42 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR08 ,  2F065SS00 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH60

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-311175   出願人：株式会社東芝