特許

J-GLOBAL ID：200903032134530361

加熱装置

発明者： 平野 貴一 ,  浜田 弘喜
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170274
公開番号（公開出願番号）：特開平10-020944
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体膜を所望の温度で良好に加熱することができる加熱装置を提供すること。【解決手段】 半導体膜3の温度を測定する放射温度計4、放射温度計4からの測定信号5を入力する温度測定回路6、温度測定回路6からの温度信号7を入力する制御回路8、制御回路8からの制御信号9を入力する電源回路11、制御信号9に応答する電源回路11の出力18によって、放射する光量が調整され、前記半導体膜3の温度を調整する加熱源12とを含む加熱装置において、一定時間、測定信号5を遮断して間欠温度測定することにより、加熱により対象物から脱着する気体や対象物の表面の反射率の変動の放射温度計4への悪影響を回避し、熱処理の再現性と熱安定性を向上させる。

請求項（抜粋）：

加熱される対象物の温度を測定する放射温度計と、放射温度計からの測定信号が入力される温度測定回路と、温度測定回路からの温度信号が入力される制御回路と、制御回路からの制御信号が入力される電源回路と、制御信号に応答する電源回路の出力によって、加熱量が調整される加熱源とを含み、前記対象物を所定の設定温度に保持するよう加熱制御する加熱装置において、前記所定の設定温度に達するまでの一定時間、測定信号を遮断することを特徴とする加熱装置。

IPC (3件)：

G05D 23/00 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

G05D 23/00 H ,  H01L 21/324 D ,  H01L 21/26 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 金属射出成形体のインゴット加熱方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065957   出願人：本田技研工業株式会社
• 特開昭59-099509
  
• 特開平2-120019