磁気インピーダンス効果素子の検出回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042015
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 MI素子に巻き回する励磁コイルを少なくして巻き回作業および構造を簡素化すると共に小型化を実現する。【解決手段】外部磁界中に配設された磁気インピーダンス効果素子2aと、磁気インピーダンス効果素子2aに高周波電流を流す素子駆動回路1と、磁気インピーダンス効果素子2aに磁界を印加するコイル2bと、磁気インピーダンス効果素子2aの両端に現れる電圧に対応する検出電圧を出力する増幅器5とを備え、コイル2bには検出電圧とは別のバイアス電圧に基づいてバイアス磁界を発生させると共に、検出電圧に基づいて外部磁界の向きとは逆向きの負帰還磁界を発生させた。

請求項（抜粋）：

外部磁界中に配設された磁気インピーダンス効果素子と、前記磁気インピーダンス効果素子に高周波電流を流す素子駆動回路と、前記磁気インピーダンス効果素子に磁界を印加するコイルと、前記磁気インピーダンス効果素子の両端に現れる電圧に対応する検出電圧を出力する増幅器とを備え、前記コイルには前記検出電圧とは別のバイアス電圧に基づいてバイアス磁界を発生させると共に、前記検出電圧に基づいて前記外部磁界の向きとは逆向きの負帰還磁界を発生させたことを特徴とする磁気インピーダンス効果素子の検出回路。

Fターム (6件)：

2G017AA01 , 2G017AC09 , 2G017AD04 , 2G017AD51 , 2G017BA02 , 2G017BA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-146652 出願人：多摩電気工業株式会社
磁気インピーダンスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-269084 出願人：ミネベア株式会社

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