特許

J-GLOBAL ID：200903058215253280

磁気インピーダンスセンサ

発明者： 高山 昭夫 ,  梅原 多美雄 ,  湯口 昭代 ,  毛利 佳年雄
出願人/特許権者： ミネベア株式会社
代理人 (1件)： 辻 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269084
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109006
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】小型で低コスト、かつ、検出磁界に対する出力の直線性、温度特性に優れた高感度磁気センサを提供すること。【解決手段】薄膜磁気コア1の周囲に絶縁物層2、3を介してバイアスコイル4および負帰還コイル5を巻回した構造を有し、この構造により、磁気センサの小型化、量産化が可能となる。前記2つのコイルを薄膜コイルで構成すると効率があがるため、少ない電流で必要なバイアス磁界が得られ、また、少ない負帰還量で磁界に対する出力の直線性の改善が可能となる。上記薄膜磁気コアは、NiFe、CoFeNiのめっき膜、あるいはCoZrNb、FeSiB 、CoSiB のアモルファススパッタ膜、NiFeスパッタ膜により形成されている。

請求項（抜粋）：

非磁性体からなる基板と該基板上に形成された薄膜磁気コアと該薄膜磁気コアの長手方向両端に設けられた第一の電極と第二の電極からなる磁気インピーダンスセンサにおいて、上記薄膜磁気コアの周囲に絶縁体を媒介してバイアスコイルと負帰還コイルを巻回した構造を有することを特徴とする磁気インピーダンスセンサ。

IPC (3件)：

G01R 33/02 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

FI (3件)：

G01R 33/02 D ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-291450   出願人：科学技術振興事業団
• 電流センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-138763   出願人：ミツミ電機株式会社, 毛利佳年雄
• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-332607   出願人：株式会社島津製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• パルス電流励磁によるスパッタ薄膜マイクロMIセンサ