基板処理方法および基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：間宮武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172443
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367952
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】基板を処理液中に浸漬させた後に処理液中から露出させて乾燥させる場合に、基板に付着した処理液と基板表面で置換させるために使用される有機溶剤の無駄な消費を少なくし、有機溶剤の使用量を低減できる方法を提供する。【解決手段】純水12が貯留されその純水中にウエハWが浸漬させられた処理槽10の周囲を取り囲む処理チャンバ14内を減圧した後、減圧を停止して処理チャンバ内を密閉し、減圧され密閉された処理チャンバ内へその上部からIPA蒸気を供給しつつ、リフタ30によって純水中からウエハを引き上げる。ウエハが純水中から完全に引き上げられ、処理チャンバ内へのIPA蒸気の供給を停止した後に、再び処理チャンバ内を減圧してウエハを乾燥させる。

請求項（抜粋）：

処理槽内に貯留された処理液中に基板を浸漬させた後、処理液中から基板を露出させて乾燥させる基板処理方法において、前記処理槽内の処理液の液面を含む液面上部の空間を減圧する減圧工程と、この減圧工程後に、減圧を停止して前記空間を密閉する密閉工程と、この密閉工程後に、減圧され密閉された前記空間内へその上部から有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給工程と、減圧され密閉された前記空間内へ有機溶剤の蒸気を供給しつつ、前記処理槽内の処理液中から基板を露出させる基板露出工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 651 , H01L 21/304 , B08B 3/04 , H01L 21/027

FI (5件)：

H01L 21/304 651 K , H01L 21/304 651 H , H01L 21/304 651 J , B08B 3/04 Z , H01L 21/30 569 B

Fターム (11件)：

3B201AA03 , 3B201BB04 , 3B201BB13 , 3B201BB72 , 3B201BB82 , 3B201BB93 , 3B201BB95 , 3B201CC01 , 3B201CC15 , 5F046LA09 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

基板処理方法及び同装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-078020 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平2-280844

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