特許
J-GLOBAL ID：200903032169959743
イオンプレーティング方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261842
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099958
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】結晶性に優れ、良好な品質の膜を得ることができるイオンプレーティング方法およびその装置を提供する。【解決手段】イオンプレーティング装置は、圧力勾配型のプラズマガンと、陽極部材とを備える。陽極部材は、プラズマビームを下方に導く主陽極であるハースを有する。1対の磁界生成用の電磁石26a、26bが設けられ、基板Wの周辺に基板Wと平行な磁力線を有する磁界が生成される。基板Wを挟んで1対の電極28a、28bが設けられ、磁界の磁力線に沿った空間に電極の電位を有する等電位の電界が生成される。蒸着物質が、プラズマビームによりイオン化され、基板Wに衝突し、付着するとき、基板Wの表面近傍には、さらにハースに対して逆バイアスとなる電位の電界が生成されているため、蒸着物質のイオンが基板に衝突するときの運動エネルギーは、大きく緩和される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
成膜室中に陽極として配置されたハースに装填された蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、該蒸着材料と対向して配置された基板の表面に該蒸着物質を付着させてイオンプレーティングを行うイオンプレーティング方法において、
該ハースと該基板との間の領域に、または、さらに該基板を含む領域に、該ハースと該基板とを最短距離で結んだときの直線または該直線の延長線に対して略垂直方向に伸びる磁力線を含む磁界を生成することを特徴とするイオンプレーティング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4K029BA50
, 4K029CA03
, 4K029DB11
, 4K029DD06
, 4K029KA03
