特許

J-GLOBAL ID：200903032176759881

プラズマ処理における基板温度制御方法

発明者： 土井 浩志
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145736
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335570
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 静電チャックの動作電圧を変更して基板温度を変化させるようにして、プラズマ処理中の基板温度を短時間に変更する。【構成】 対向電極26からCHF3とCF4の混合ガスを50SCCMの流量でエッチング室20に導入し、70Paの圧力とした。冷却板40は冷却水44によって一定温度に保つ。基板支持電極24に700Wの高周波電力を印加すると、プラズマ46が発生し、基板22にはセルフバイアス電圧が誘起される。-500Vの直流電圧を基板支持電極24に印加し、静電チャックを機能させると、基板温度は120°Cになる。この状態でSi酸化膜を95%の厚さだけエッチングしてから直流電圧を-800Vに変更する。すると、基板22の静電吸着力が増加し、2〜3秒後には、基板温度は70°Cに低下する。この状態で、残りのエッチングを実施し、下地のSiが現れたらエッチングを終了する。

請求項（抜粋）：

基板支持電極と基板の間に誘電体層を配置して基板と基板支持電極の間に直流電圧を印加することによって基板を基板支持電極に静電吸着させるようにした静電チャック機構を用いて、基板のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記直流電圧を変更することによって基板と基板支持面との間に働く静電吸着力を変化させ、これにより基板温度を変化させることを特徴とする基板温度制御方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-105917
  
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180049   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭62-290133
  
• 特開平3-105917
  
• 特開昭62-290133