特許

J-GLOBAL ID：200903032197538761

半導体記憶装置

発明者： 大見川 斉文
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048930
公開番号（公開出願番号）：特開2001-236784
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 構成を複雑化することなく,高速アクセスが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 SDRAM10は,タイミングコントローラ1,ロウアドレスデコーダ2,カラムアドレスデコーダ3,メモリセルアレイ4,リード/ライトコントローラ5,I/Oバッファ60,690,6180,6270,およびI/O端子70,790,7180,7270を有する。このSDRAM10は,基本クロック信号CLK0,並びに,この基本クロック信号CLK0に対して位相が90°シフトしている第1シフトクロック信号CLK90,180°シフトしている第2シフトクロック信号CLK180,および270°シフトしている第3シフトクロック信号CLK270に基づいて動作する。

請求項（抜粋）：

基本クロック信号に同期して,メモリセルアレイにアクセスし,データ書き込み/読み出し動作を行う半導体記憶装置であって,前記基本クロック信号に同期した前記メモリセルアレイに対するアクセスと並行に,前記基本クロック信号から所定の位相遅れを有するシフトクロック信号に同期して前記メモリセルアレイにアクセスすることを特徴とする,半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 7/00 313

FI (3件)：

G11C 7/00 313 ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 C

Fターム (8件)：

5B024AA07 ,  5B024AA15 ,  5B024BA18 ,  5B024BA21 ,  5B024BA23 ,  5B024BA29 ,  5B024CA07 ,  5B024CA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 入出力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-000822   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159381   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置システム及び半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-351548   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-009038   出願人：日本電気株式会社