ECRプラズマエッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053170
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】ECRプラズマエッチング装置において、均一で高密度な安定したECRプラズマを生成するためにマイクロ波の導入手段や磁場印加手段を最適化することによって異方性エッチング特性の向上を図る。【構成】マイクロ波電源6にはクライストロンを用い、発生したマイクロ波8は導波管5内を輸送され、導波管5は円形テーパー導波管とし、テーパー角が8〜14度に構成されている。ソレノイドコイル3により印加される磁場はエッチング処理する基板15上で電子サイクロトロン共鳴点から±25G以内になるように設定され、その磁場分布は±5%以内、磁場勾配はマイクロ波導入窓4から20G/cm以内に構成されている。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室内でマイクロ波により発生する電場と、この電場に直交する磁場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し、このプラズマを設置された基板に照射して基板をエッチングするECRプラズマエッチング装置において、導入されるマイクロ波の発振源に多空胴クライストロンを用いることを特徴とするECRプラズマエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-217620
特開昭63-289925
特開平2-162719

全件表示

前のページに戻る