特許

J-GLOBAL ID：200903032227425134

半導体レーザー

発明者： 辻村 歩 ,  大川 和宏 ,  上山 智 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288962
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213699
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】II-VI 族化合物半導体を用いた青緑色領域で発振する半導体レーザーに対して、光閉じ込め率を大きくするための構造を提供する。【解決手段】Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se(0<X≦0.3)活性層7と、Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層7に隣接する一対の光閉じ込め構造4、5、6、8、9及び10と、光閉じ込め構造のそれぞれに隣接するクラッド層3及び11を備えた半導体レーザーであって、光閉じ込め構造のエネルギーバンドギャップが、Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層7からの距離が増加するにつれて単調増加している。これによって、光閉じ込め係数が改善される。

請求項（抜粋）：

Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se(0<X≦0.3)活性層と、該Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層に隣接する一対の光閉じ込め構造と、該光閉じ込め構造のそれぞれに隣接するクラッド層を備えた半導体レーザーであって、該光閉じ込め構造のエネルギーバンドギャップは、該Zn<SB>1-X</SB>Cd<SB>X</SB>Se活性層からの距離が増加するにつれて単調増加している半導体レーザー。