特許

J-GLOBAL ID：200903032269782298

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 石丸 靖
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162440
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 低圧で高密度プラズマを発生させ、かつ真空ベルジャの内面がプラズマによりスパッタあるいはエッチングされることを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 側壁を有し内部を真空排気可能な処理容器と、処理容器の外部に配置され、処理容器内に高周波磁場を励起し誘導結合によるプラズマを発生するための磁場発生手段と、処理容器内に配置され、処理対象基板を載置するための載置台とを有し、処理容器は、プラズマが発生する空間近傍の側壁を冷却するための冷却手段を含む。

請求項（抜粋）：

側壁を有し内部を真空排気可能な処理容器と、前記処理容器の外部に配置され、前記処理容器内に高周波磁場を励起し誘導結合によるプラズマを発生するための磁場発生手段と、前記処理容器内に配置され、処理対象基板を載置するための載置台とを有し、前記処理容器は、前記プラズマが発生する空間近傍の側壁を冷却するための冷却手段を含むプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高周波磁場励起処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344666   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-184828
  
• 特表平5-502971