特許

J-GLOBAL ID：200903032279636524

III族窒化物結晶の製造方法

発明者： 上松 康二 ,  中畑 成二 ,  中幡 英章
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-043928
公開番号（公開出願番号）：特開2008-207974
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】結晶を厚く成長させても、転位密度が低いIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、複数の第1種類と複数の第2種類のIII族窒化物結晶基板11,12を接触させて集合基板10を形成する工程を含み、集合基板10の結晶成長表面10sにおいて、第1種類の基板11は(0001)表面11pを有し、第2種類の基板12は(000-1)表面12qを有し、第1種類の基板11と第2種類の基板12の複数の接触面13が互いに平行な線として現われ、結晶成長表面10上において接触面13に繋がる位相境界23を含むIII族窒化物結晶20を成長させる工程をさらに含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の第1種類と複数の第2種類のIII族窒化物結晶基板を接触させて集合基板を形成する工程を含み、 前記集合基板の結晶成長表面において、前記第1種類の基板は(0001)表面を有し、前記第2種類の基板は(000-1)表面を有し、前記第1種類の基板と前記第2種類の基板の複数の接触面が互いに平行な線として現われ、 前記結晶成長表面上において前記接触面に繋がる位相境界を含むIII族窒化物結晶を成長させる工程をさらに含むIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045DA61 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AP17 ,  5F173AP32 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-127727   出願人：住友電気工業株式会社