特許

J-GLOBAL ID：200903091973474996

窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法

発明者： 秋田 勝史 ,  岡久 拓司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127727
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324069
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 ELOマスク法と欠陥種マスク法を併用して転位の少ないGaN結晶を成長させる。ELOマスクはGaN結晶が直接に成長せず横方向に成長し欠陥種マスクは欠陥が集中した閉鎖欠陥集合領域を成長させるようにすること。【解決手段】 ELOマスクにはSiN、SiON、SiO2の何れかの材料を用い、欠陥種マスクにはPt、Ti、Niの何れかの材料を用いる。サファイヤ、GaAs、スピネル、Si、InP、SiCなどの単結晶基板、あるいはそれらの単結晶基板にGaNバッファ層を被覆したものを基板として、ELOマスクと欠陥種マスクを相補的に設けてGaNを気相成長させる。

請求項（抜粋）：

サファイヤ、GaAs、InP、Si、SiC、スピネル、GaNの何れかの単結晶である基板又はそれらの単結晶基板にGaNバッファ層を形成した基板と、Ti、Pt、Niの何れかよりなり基板の上に規則正しく配列され窓を持たず被覆部分だけをもち閉鎖欠陥集合領域Hを発生させるための種となる欠陥種マスクXと、SiON、SiO2、SiNのいずれかよりなり被覆部分と小さい周期で規則正しく配列をした多数の窓を有し基板の上で欠陥種マスクと規則正しく相補的に設けられたELOマスクFとよりなることを特徴とする窒化ガリウム成長用基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TK04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-274555   出願人：日本電気株式会社
• 結晶製造方法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-098841   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-126989   出願人：日亜化学工業株式会社
• 無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-350701   出願人：三菱電線工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 大口径GaN基板の開発