特許

J-GLOBAL ID：200903032313702728

結晶育成方法

発明者： 久保 高行 ,  木崎 信吾 ,  堀井 淳二 ,  桑原 眞則 ,  三木 新一郎 ,  江頭 和幸 ,  奥井 正彦 ,  西元 学
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-367703
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199385
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【課題】 生産性の低下及び有転位化による歩留り低下を伴うことなく、空孔クラスタの発生を抑制する。【解決手段】 CZ法により単結晶11を育成する。単結晶11の固液界面近傍を、その周囲に設けられた通水管9により急冷する。OSFリングが結晶外周部より内側に生じるか、若しくは中心部で消滅するように、引き上げ速度を最大引き上げ速度に対して相対的に低下させる。単結晶11の固液界面近傍を急冷することにより、最大引き上げ速度が増大するので、最大引き上げ速度に対して引き上げ速度を相対的に低下させても、高い引き上げ速度が確保され、生産性の低下及び有転位化による歩留り低下が回避される。

請求項（抜粋）：

CZ法を用いてシリコン単結晶を育成する結晶育成方法において、育成結晶の固液界面近傍を局部的に急冷し、且つOSFリングが育成結晶の最外周部より内側に生じるか若しくは結晶中心部で消滅する速度条件で引き上げを行うことを特徴とする結晶育成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/00 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-284255   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-064975   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶の引上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-329839   出願人：ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング