特許

J-GLOBAL ID：200903032320967877

ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 瀬田 渉二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096689
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284327
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 配線間の層間絶縁膜に有機シリコン酸化膜を用いたデュアルダマシン配線溝加工において、コンタクト孔にクラウンフェンスの発生を制御し、深さの制御性を向上させるドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法及びこれらの方法を適用して得られる低誘電率化された層間絶縁膜の誘電率を低下させた半導体装置を提供する。【解決手段】 コンタクト孔の加工を行った後、層間絶縁膜15の成分を少なくとも1つは含むガスを用いるプラズマプロセスでレジスト及びコンタクト孔側壁の堆積物の剥離工程を行い、次に、配線溝を形成する溝加工を行った後、層間絶縁膜の少なくとも1つの成分を取り除くガスを用いるプラズマプロセスでレジスト及び配線溝及びコンタクト孔側壁の堆積物の剥離工程を行う。

請求項（抜粋）：

1層の絶縁膜に二つ以上の加工処理を行う加工プロセスにおいて、最終加工形状前の加工物剥離を前記絶縁膜の成分を少なくとも1つは含むガスを用いて行う工程と、最終加工形状後の加工物剥離を前記絶縁膜の少なくとも1つの成分を取り除くガスを用いて表面近傍の剥離を行う工程とを具備したことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (41件)：

2H096AA25 ,  2H096HA25 ,  2H096LA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004DA00 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK28 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033XX03 ,  5F033XX21 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020266   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-319942