特許

J-GLOBAL ID：200903032327694167

メモリ集積回路およびそのメモリセルのプログラム方法

発明者： ジョージ・チャン ,  パール・チェン
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086685
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045290
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 集積メモリ回路のプログラムを低消費電流で実行する。【構成】 プログラムする方法は、プログラムモード決定回路を用いて入力データパターンのビットの数に従ってメモリセルをプログラムするためのプログラムモードを与えるステップと、プログラムモードに従ってメモリセルをプログラムするステップとを含む。プログラムモード決定回路は、各ブロックにおいてプログラムされる必要のあるメモリセルの総数を決定するための回路と、メモリセル決定回路に動作できるように結合され、ブロックにおいてプログラムされる必要のあるメモリセルの総数が、0よりも大きいがしきい値数Nよりも小さいかまたは等しい場合、しきい値数Nよりも大きい場合、および0に等しい場合にそれぞれ、第1のプログラムモード制御信号、複数の第2のプログラムモード制御信号、および第3のプログラムモード制御信号を与えるための制御回路とを含む。

請求項（抜粋）：

複数ビットの情報を有する入力データパターンに応答して複数のメモリセルをプログラムするための方法であって、各ビットは第1の論理レベルまたは第2の論理レベルのいずれかであり、メモリセルの各々は1ビットの情報を記憶するためのものであり、(a) 入力データパターンのビットの数に従ってメモリセルをプログラムするためのプログラムモードを与えるステップと、(b) 前記プログラムモードに従ってメモリセルをプログラムするステップとを含む、複数のメモリセルをプログラムするための方法。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 7/00 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-239500
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-277192   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-057296