特許

J-GLOBAL ID：200903032338057738

塗布膜形成方法および塗布処理システム

発明者： 吉原 孝介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-024980
公開番号（公開出願番号）：特開2000-218218
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：

【要約】【課題】 各種のパターンで現れる塗布膜表面のパーティクルを速やかに解消して、健全な塗布膜を形成することができる塗布膜形成方法および塗布処理システムを提供すること。【解決手段】 半導体ウエハW上に形成された塗布膜表面のパーティクル付着を解消するための対策をパーティクル分布状態毎に予め把握しておき、ウエハW上に塗布膜を形成し、塗布膜に付着したパーティクルの分布状態を検出し、予め把握された塗布膜表面のパーティクル付着を解消するための対策に基づいて、検出されたパーティクル分布状態に応じた対策を講じ、対策後の条件で次の基板の塗布膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された塗布膜表面に発生するパーティクルを解消するための対策をパーティクル分布状態毎に予め把握しておく工程と、基板上に塗布膜を形成する工程と、塗布膜に付着したパーティクルの分布状態を検出する工程と、前記予め把握された塗布膜表面のパーティクル付着を解消するための対策に基づいて、検出されたパーティクル分布状態に応じた対策を講じる工程と、対策後の条件で次の基板に塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方法。

IPC (6件)：

B05C 11/08 ,  B05C 9/10 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

B05C 11/08 ,  B05C 9/10 ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/16 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 D

Fターム (17件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025EA01 ,  2H025EA05 ,  4D075AC64 ,  4D075DC21 ,  4F042AA07 ,  4F042BA06 ,  4F042EB18 ,  4F042EB23 ,  4F042EB24 ,  4F042EB25 ,  4F042EB28 ,  4F042EB29 ,  5F046JA01 ,  5F046JA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-227410   出願人：ソニー株式会社