特許
J-GLOBAL ID：200903066996782316
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056048
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】製造ラインにおいて製造すべき半導体装置の数量を最適化し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(イ)半導体装置におけるトランジスタ素子のゲート電極形成工程において、ゲート長を測定し、(ロ)予め求められたゲート長と製品収率の関係、及び測定されたゲート長に基づき、製品収率を予測し、(ハ)予測された製品収率に基づき、最終的に製造されるであろう半導体装置の予測個数を求める各工程を含む。
請求項（抜粋）：
(イ)半導体装置におけるトランジスタ素子のゲート電極形成工程において、ゲート長を測定し、(ロ)予め求められたゲート長と製品収率の関係、及び測定されたゲート長に基づき、製品収率を予測し、(ハ)予測された製品収率に基づき、最終的に製造されるであろう半導体装置の予測個数を求める、各工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 P
, H01L 21/02 Z
