半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154461
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332815
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 SiO2などのマスク上に選択成長をさせることにより、転位密度を小さくしながら、広い範囲に亘って平坦性が得られるチッ化物系化合物半導体層を積層し、発光効率の優れたチッ化物系化合物半導体発光素子、とくにしきい電流値を低下させた半導体レーザを提供する。【解決手段】基板1上に第1のGaN層2が設けられ、その上に開口部3aを有するマスク層3が設けられ、そのマスク層3上に前記開口部3aから横方向に選択成長される第2のGaN層4、さらに、発光層を形成するように積層されるチッ化物系化合物半導体積層部15が設けられている。そして、マスク層3の上面側に凹部3bが形成されている。換言すれば、たとえばマスク層3上面側の凹部3bにより、第2のGaN層4の底面とマスク層3との間にほぼ平行な空隙3cが形成されるように第2のGaN系化合物半導体層4が成長されている。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられる第1のチッ化物系化合物半導体層と、該第1のチッ化物系化合物半導体層上に設けられ、開口部を有するマスク層と、該マスク層上に前記開口部から横方向に選択成長される第2のチッ化物系化合物半導体層と、該第2のチッ化物系化合物半導体層上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体が積層される半導体積層部とからなり、前記マスク層の上面側に凹部が形成されてなるチッ化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/323 , H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CB11 , 5F041FF13 , 5F041FF16 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073BA07 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA05 , 5F073EA23 , 5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-347669 出願人：松下電器産業株式会社

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