窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009004
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 ELOG法による結晶性の向上を図り、共振器への光の閉じ込め係数値を大きくできるようにし、また、ミラー損失が少ない共振器端面を形成できるようにし、導波損失が少ない共振器を形成できるようにし、リッジ部形成用のマスクの位置合わせを容易に行なえるようする。【解決手段】サファイアからなる基板11上に、GaNからなる低温バッファ層を介してELOG用のGaNからなるシード層12を形成し、該シード層12の上部に基板面方向に互いに間隔をおいて延びるストライプ状の凸部12aを形成する。続いて、凸部12a同士に挟まれてなる各凹部12bの底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜13を形成し、その後、シード層12の上に、各凸部12aと接するようにGaNからなる選択成長層14をその下面と溝部12bの底面との間に空隙部12cが設けられるように形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、Alu Gav Inw N(但し、u,v,wは、0≦u,v,w≦1、u+v+w=1である。)からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第1の窒化物半導体層の上部に、基板面方向に互いに間隔をおいて延びる複数の凸部を形成する工程と、互いに隣接する前記凸部同士に挟まれてなる凹部の底面を覆うマスク膜を形成する工程と、前記第1の窒化物半導体層の上に、前記マスク膜から露出する前記各凸部の頂面であるC面を種結晶として、Alx Gay Inz N(但し、x,y,zは、0≦x,y,z≦1、x+y+z=1である。)からなる第2の窒化物半導体層を成長する工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/223 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/223 , H01S 5/343

Fターム (43件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CB02 , 5F041FF16 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DB02 , 5F045DB06 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119377 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-049906 出願人：日亜化学工業株式会社
III族窒化物緩衝層を有するIII族窒化物エピタキシャル層の一段ペンデオエピタキシャルオーバーグロース及び一段横方向エピタキシャルオーバーグロース
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-530903 出願人：クリーインコーポレイテッド

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