特許

J-GLOBAL ID：200903032362691316

半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置

発明者： 夏原 益宏 ,  仲田 博彦 ,  橋倉 学
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中野 稔 ,  服部 保次 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033063
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247365
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ保持面の均熱性を高めた半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。【解決手段】ウェハ搭載面を有するウェハ保持体1において、ウェハ保持体1を支持するシャフト2がウェハ保持体1に接合されており、シャフト2のウェハ保持体1との接合面の面積を、搭載するウェハの面積の20%以下にすれば、搭載したウェハ表面の温度分布を±1.0%以内にすることができる。更に、前記面積比は、10%以下であれば温度分布を±0.5%以内にすることができ、更に、6%以下にすれば、温度分布を±0.4%以内にすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の20%以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。

IPC (5件)：

H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/68 ,  H05B3/06 ,  H05B3/74

FI (5件)：

H01L21/02 Z ,  H01L21/265 603D ,  H01L21/68 N ,  H05B3/06 B ,  H05B3/74

Fターム (27件)：

3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB04 ,  3K092QB31 ,  3K092QB62 ,  3K092QB68 ,  3K092QB74 ,  3K092QB76 ,  3K092QC02 ,  3K092QC16 ,  3K092QC25 ,  3K092QC42 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF26 ,  3K092SS18 ,  3K092SS24 ,  3K092SS34 ,  3K092UC01 ,  3K092VV22 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA37 ,  5F031HA50 ,  5F031PA11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-278891   出願人：京セラ株式会社
• セラミックヒータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-150381   出願人：京セラ株式会社