特許
J-GLOBAL ID：200903032362843396
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135528
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349798
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置およびその製造方法に関し、工程が簡単で所定の量だけ研磨して平坦化することができる半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】凹凸を有する基板1の表面の上に、ノンドープのシリコン酸化物膜、シリコン窒化物膜等の最下層の絶縁膜2を全面に堆積し、その上に、BSG膜、PSG膜、BPSG膜、SOG膜等の単数または複数の中間の絶縁膜3を、この凹部内の最下層の絶縁膜とこの中間の絶縁膜の厚さの和が実質的に凸部の高さと同じになるように堆積し、その上に、ノンドープのシリコン酸化物膜、シリコン窒化物膜等の最上層の絶縁膜4を堆積し、この凹部内の最上層の絶縁膜と凸部の上の最下層の絶縁膜のいずれか一方または双方をストッパーとして、凸部の上に最上層の絶縁膜と中間の絶縁膜を研磨して平坦化する。
請求項（抜粋）：
凹凸を有する表面を有し、該凹凸の凹部内底面上には3層以上の絶縁膜が形成され、該凸部の上には凹部内に形成された絶縁膜の層数より1層以上少ない層数の絶縁膜が形成されており、最上層の絶縁膜が凸部の高さ以上の位置にある構成を有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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