特許

J-GLOBAL ID：200903032367689620

窒化物半導体発光素子

発明者： 玉井 慎一 ,  園部 雅之 ,  伊藤 範和 ,  堤 一陽
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319892
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129042
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】 内部量子効率及び発光強度を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、n型電極1、基板2、n型バッファ層3、n型クラッド層4、n型光ガイド層5、MQW活性層6、p型光ガイド層7、p型クラッド層8、p型コンタクト層9、p型電極10により構成されている。MQW活性層6は、InGaN層(井戸層)11及びGaN層(バリア層)12が複数積層された量子井戸構造に構成されている。そして、InGaN層11は、InGaN層11内のInの組成比をy%とし、InGaN層11内の膜厚をxÅ(10≦x≦35)とし、19.5≦a≦27.4とすると、y=-0.67x+aを満たすようにInGaN層11が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

量子井戸構造を有し、Inを含む窒化物材料からなる活性層を備えた窒化物半導体発光素子であって、前記活性層中の井戸層は、Inの組成比をy%とし、膜厚をxÅ(10≦x≦35)とし、19.5≦a≦27.4とすると、y=-0.67x+aを満たすように形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F173AA01 ,  5F173AF03 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AR23 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-321683   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー